Nou circuit integrat original BSP772T IP5306 BSZ040N06LS5 TLE7270-2D IC Xip
BSZ040N06LS5
El nivell lògic dels MOSFET de potència OptiMOS™ 5 d'Infineon són molt adequats per a aplicacions de càrrega sense fils, adaptadors i telecomunicacions.La baixa càrrega de la porta (Q g) dels dispositius redueix les pèrdues de commutació sense comprometre les pèrdues de conducció.Les xifres de mèrit millorades permeten operacions a altes freqüències de commutació.A més, la unitat de nivell lògic proporciona uns llindars de porta baixostensió de retenció (V GS(th)) que permet que els MOSFET es accionin a 5 V i directament des dels microcontroladors.
Resum de característiques
Baix R DS (activat) en paquet petit
Baixa càrrega de la porta
Menor càrrega de sortida
Compatibilitat de nivell lògic
Beneficis
Dissenys de major densitat de potència
Major freqüència de commutació
Recompte de peces reduït allà on hi hagi subministraments de 5 V disponibles
Impulsat directament des de microcontroladors (canvi lent)
Reducció de costos del sistema
Paramètrics
| Paramètrics | BSZ040N06LS5 |
| Preu pressupostari/1k € | 0,56 |
| Ciss | 2400 pF |
| Coss | 500 pF |
| ID (@25°C) màx | 101 A |
| IDpuls màx | 404 A |
| Muntatge | SMD |
| Temperatura de funcionament mín. màx | -55 °C 150 °C |
| Ptot màx | 69 W |
| paquet | PQFN 3,3 x 3,3 |
| Recompte de pins | 8 pins |
| Polaritat | N |
| QG (típ @4,5 V) | 18 nC |
| Qgd | 5,3 nC |
| RDS (activat) (@4,5V LL) màx | 5,6 mΩ |
| RDS (activat) (@4,5V) màx | 5,6 mΩ |
| RDS (activat) (@10V) màx | 4 mΩ |
| Rth màx | 1,8 K/W |
| RthJA màx | 62 K/W |
| RthJC màx | 1,8 K/W |
| VDS màx | 60 V |
| VGS(th) mín màx | 1,7 V 1,1 V 2,3 V |
