Xip Merrill Nou i original en estoc components electrònics circuit integrat IC IRFB4110PBF
Atributs del producte
| TIPUS | DESCRIPCIÓ |
| Categoria | Productes semiconductors discrets |
| Mfr | Tecnologies Infineon |
| Sèrie | HEXFET® |
| paquet | Tub |
| Estat del producte | Actiu |
| Tipus FET | Canal N |
| Tecnologia | MOSFET (òxid metàl·lic) |
| Tensió de drenatge a font (Vdss) | 100 V |
| Corrent - Drenatge continu (Id) @ 25 °C | 120A (Tc) |
| Tensió de la unitat (Rds màxim activat, Rds mínim activat) | 10V |
| Rds activat (màx.) @ Id, Vgs | 4,5 mOhm @ 75 A, 10 V |
| Vgs(th) (Màx.) @ Id | 4V @ 250µA |
| Càrrega de la porta (Qg) (Màx.) @ Vgs | 210 nC @ 10 V |
| Vgs (màx.) | ±20V |
| Capacitat d'entrada (Ciss) (Màx.) @ Vds | 9620 pF @ 50 V |
| Característica FET | - |
| Dissipació de potència (màx.) | 370 W (Tc) |
| Temperatura de funcionament | -55 °C ~ 175 °C (TJ) |
| Tipus de muntatge | A través del forat |
| Paquet de dispositius del proveïdor | TO-220AB |
| Paquet / Estoig | TO-220-3 |
| Número de producte base | IRFB4110 |
Documents i mitjans
| TIPUS DE RECURSOS | ENLLAÇ |
| Fulls de dades | IRFB4110PbF |
| Altres documents relacionats | Sistema de numeració de peces IR |
| Mòduls de formació de producte | Circuits integrats d'alta tensió (controladors de porta HVIC) |
| Producte destacat | Robòtica i vehicles guiats automatitzats (AGV) |
| Full de dades HTML | IRFB4110PbF |
| Models EDA | IRFB4110PBF de SnapEDA |
| Models de simulació | Model IRFB4110PBF Sabre |
Classificacions ambientals i d'exportació
| ATRIBUT | DESCRIPCIÓ |
| Estat RoHS | Compatibilitat amb ROHS3 |
| Nivell de sensibilitat a la humitat (MSL) | 1 (il·limitat) |
| Estat REACH | REACH no afectat |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Recursos addicionals
| ATRIBUT | DESCRIPCIÓ |
| Altres noms | 64-0076PBF-ND 64-0076PBF SP001570598 |
| Paquet estàndard | 50 |
La família MOSFET de potència Strong IRFET™ està optimitzada per a un RDS baix (activat) i una capacitat de corrent alta.Els dispositius són ideals per a aplicacions de baixa freqüència que requereixen rendiment i robustesa.La cartera completa aborda una àmplia gamma d'aplicacions, com ara motors de corrent continu, sistemes de gestió de bateries, inversors i convertidors DC-DC.
Resum de característiques
Paquet de potència de forat passant estàndard de la indústria
Valoració d'alta corrent
Qualificació del producte segons la norma JEDEC
Silici optimitzat per a aplicacions que canvien per sota de <100 kHz
Díode corporal més suau en comparació amb la generació anterior de silici
Àmplia cartera disponible
Beneficis
El pinout estàndard permet la caiguda de la substitució
Paquet de capacitat de transport d'alta corrent
Nivell de qualificació estàndard del sector
Alt rendiment en aplicacions de baixa freqüència
Augment de la densitat de potència
Ofereix als dissenyadors flexibilitat per seleccionar el dispositiu més òptim per a la seva aplicació
Paramètrica
| Paramètrics | IRFB4110 |
| Preu pressupostari/1k € | 1,99 |
| ID (@25°C) màx | 180 A |
| Muntatge | THT |
| Temperatura de funcionament mín. màx | -55 °C 175 °C |
| Ptot màx | 370 W |
| paquet | TO-220 |
| Polaritat | N |
| QG (típ @10V) | 150 nC |
| Qgd | 43 nC |
| RDS (activat) (@10V) màx | 4,5 mΩ |
| RthJC màx | 0,4 K/W |
| Tj màx | 175 °C |
| VDS màx | 100 V |
| VGS(th) mín màx | 3 V 2 V 4 V |
| VGS màx | 20 V |
Productes semiconductors discrets
Els productes semiconductors discrets inclouen transistors, díodes i tiristors individuals, així com petites matrius composades per dos, tres, quatre o algun altre petit nombre de dispositius similars dins d'un sol paquet.S'utilitzen més habitualment per construir circuits amb una tensió considerable de tensió o corrent, o per realitzar funcions de circuit molt bàsiques.
