-
Nous components electrònics originals IRF9540NSTRLPBF IRF9540NSTRLPBF
Atributs del producte TIPUS DESCRIPCIÓ Categoria Productes semiconductors discrets Transistors – FET, MOSFET – Fabricant individual Sèrie Infineon Technologies Paquet HEXFET® Cinta i bobina (TR) Cinta tallada (CT) Digi-Reel® Estat del producte Tipus FET actiu Tecnologia de canal P MOSFET (òxid metàl·lic) ) Tensió de drenatge a font (Vdss) Corrent de 100 V: drenatge continu (Id) @ 25 °C 23 A (Tc) Tensió d'accionament (Rds màxim encès, Rds mín activat) 10 V Rds encès (màx.) @ Id, Vgs 117 mOhm @ 14 A, 10V... -
Venda a l'engròs de peces originals de distribuïdor de xip IC Circuit integrat IRF8736TRPBF Xip IC
Atributs del producte TIPUS DESCRIPCIÓ Categoria Productes semiconductors discrets Transistors – FET, MOSFET – Fabricant únic Infineon Technologies Sèrie Paquet HEXFET® Cinta i bobina (TR) Cinta tallada (CT) Digi-Reel® Estat del producte Tipus FET actiu Tecnologia N-Channel MOSFET (òxid metàl·lic) ) Tensió de drenatge a font (Vdss) 30 V de corrent – drenatge continu (Id) @ 25 °C 18 A (Ta) Tensió d'accionament (Rds màxim encès, Rds mín encès) 4,5 V, 10 V Rds encès (màx.) @ Id, Vgs 4,8 mOhm @ 18A, 1... -
Xip IC de component electrònic nou i original IRF7103TRPBF
Atributs del producte TIPUS DESCRIPCIÓ Categoria Productes semiconductors discrets Transistors – FET, MOSFET – Arrays Fabricant Infineon Technologies Sèrie HEXFET® Paquet Cinta i bobina (TR) Cinta tallada (CT) Digi-Reel® Estat del producte FET actiu Tipus 2 FET de canal N (doble) Característica Tensió de drenatge a font estàndard (Vdss) 30 V de corrent: drenatge continu (Id) @ 25 °C 6,5 A Rds encès (màx.) @ Id, Vgs 29 mOhm @ 5,8 A, 10 V Vgs (th) (màx.) @ Id 1 V @ 250 µA Càrrega de la porta (Qg) (màx.... -
IRF7103TRPBF Xip IC de circuit integrat nou i original IRF7103TRPBF
Atributs del producte TIPUS DESCRIPCIÓ Categoria Productes semiconductors discrets Transistors – FET, MOSFET – Arrays Fabricant Infineon Technologies Sèrie HEXFET® Paquet Cinta i bobina (TR) Cinta tallada (CT) Digi-Reel® Estat del producte FET actiu Tipus 2 FET de canal N (doble) Característica Tensió de drenatge a font estàndard (Vdss) Corrent de 50 V - Drenatge continu (Id) @ 25 °C 3A Rds activat (màx.) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 3 A, 10 V Vgs (th) (màx.) @ Id 3 V @ 250 µA Càrrega de la porta (Qg) (Màx.) @... -
IRF7103TRPBF Xip IC de circuit integrat nou i original IRF7103TRPBF
Atributs del producte TIPUS DESCRIPCIÓ Categoria Productes semiconductors discrets Transistors – FET, MOSFET – Arrays Fabricant Infineon Technologies Sèrie HEXFET® Paquet Cinta i bobina (TR) Cinta tallada (CT) Digi-Reel® Estat del producte FET actiu Tipus 2 FET de canal N (doble) Característica Tensió de drenatge a font estàndard (Vdss) Corrent de 50 V - Drenatge continu (Id) @ 25 °C 3A Rds activat (màx.) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 3 A, 10 V Vgs (th) (màx.) @ Id 3 V @ 250 µA Càrrega de la porta (Qg) (Màx.) @... -
IRF4905STRLPBF Servei de BOM de xip IC de components electrònics nous i originals en existència IRF4905STRLPBF
Atributs del producte TIPUS DESCRIPCIÓ Categoria Productes semiconductors discrets Transistors – FET, MOSFET – Fabricant individual Sèrie Infineon Technologies Paquet HEXFET® Cinta i bobina (TR) Cinta tallada (CT) Digi-Reel® Estat del producte Tipus FET actiu Tecnologia de canal P MOSFET (òxid metàl·lic) ) Tensió de drenatge a font (Vdss) Corrent de 55 V – Drenatge continu (Id) @ 25 °C 42 A (Tc) Tensió d'accionament (Rds màxim encès, Rds mín encès) 10 V Rds encès (màx.) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 42 A, 10V Vg... -
Components electrònics originals a estrenar, Xip IC IRF3205STRLPBF Circuits integrats
Atributs del producte TIPUS DESCRIPCIÓ Categoria Productes semiconductors discrets Transistors – FET, MOSFET – Fabricant únic Infineon Technologies Sèrie Paquet HEXFET® Cinta i bobina (TR) Cinta tallada (CT) Digi-Reel® Estat del producte Tipus FET actiu Tecnologia N-Channel MOSFET (òxid metàl·lic) ) Tensió de drenatge a font (Vdss) Corrent de 55 V: drenatge continu (Id) @ 25 °C 110 A (Tc) Tensió d'accionament (Rds màxim encès, Rds mín activat) 10 V Rds encès (màx.) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 62 A, 10V Vg... -
IRF100S201 Avantatge d'estoc de subministrament Nou servei original de BOM de xips IC intel·ligents per a IRF100S201
Atributs del producte TIPUS DESCRIPCIÓ Categoria Productes semiconductors discrets Transistors – FET, MOSFET – Fabricant únic Infineon Technologies Sèrie HEXFET®, StrongIRFET™ Paquet Cinta i bobina (TR) Cinta tallada (CT) Digi-Reel® Estat del producte Tipus FET actiu Tecnologia N-Channel MOSFET (Òxid metàl·lic) Tensió de drenatge a font (Vdss) Corrent de 100 V - Drenatge continu (Id) @ 25 °C 192 A (Tc) Tensió d'accionament (Rds màxim encès, Rds mín activat) 10 V Rds encès (màx.) @ Id, Vgs 4,2 oh... -
IPW60R099P7 Nou original en estoc Servei de BOM de components electrònics de xip IC de lliurament ràpid per a IPW60R099P7
Atributs del producte TIPUS DESCRIPCIÓ Categoria Circuits integrats (CI) Circuits integrats especialitzats Fabricant Infineon Technologies Sèrie - Paquet a granel Estat del producte Documents actius i mitjans TIPUS DE RECURSOS ENLLAÇ Fulls de dades IPW60R099P7 Fitxa de dades Classificacions ambientals i d'exportació DESCRIPCIÓ DE L'ATRIBUT ECCN EAR99 HTSUS EAR99 HTSUS 2 DESCRIPCIÓ Altres recursos 850491. 156 -IPW60R099P7 INFINFIPW60R099P7 Paquet estàndard 1 Un circuit integrat... -
Circuit integrat IPD135N08N3G nou
Atributs del producte TIPUS DESCRIPCIÓ Categoria Productes semiconductors discrets Transistors – FET, MOSFET – Fabricant únic Infineon Technologies Sèrie OptiMOS™ Paquet Cinta i bobina (TR) Estat del producte Obsolet Tipus FET Tecnologia N-Channel MOSFET (òxid metàl·lic) Tensió de drenatge a font (Vdss) 80 Corrent en V: drenatge continu (Id) @ 25 °C 45 A (Tc) Tensió d'accionament (Rds màxima activada, Rds mínima activada) 6 V, 10 V Rds activada (màx.) @ Id, Vgs 13,5 mOhm @ 45 A, 10 V Vgs (th) ( Max) @ Id... -
IPD036N04LG Venda calenta ICS nou i original amb alta qualitat
Atributs del producte TIPUS DESCRIPCIÓ Categoria Productes semiconductors discrets Transistors – FET, MOSFET – Fabricant únic Infineon Technologies Sèrie OptiMOS™ 3 paquets Cinta i bobina (TR) Cinta tallada (CT) Digi-Reel® Estat del producte Tipus FET actiu Tecnologia N-Channel MOSFET (metall Òxid) Tensió de drenatge a font (Vdss) Corrent de 40 V: drenatge continu (Id) @ 25 °C 90 A (Tc) Tensió d'accionament (Rds màxim activat, Rds mín activat) 4,5 V, 10 V Rds activat (màx.) @ Id, Vgs 3,6 mOhm @ 90 A... -
TO-252 IPD33CN10NG amb transistor de xip d'alta qualitat Preu nou i original
Atributs del producte TIPUS DESCRIPCIÓ Categoria Productes semiconductors discrets Transistors – FET, MOSFET – Fabricant únic Infineon Technologies Sèrie OptiMOS™ Paquet Cinta i bobina (TR) Cinta tallada (CT) Digi-Reel® Estat del producte Tipus FET actiu Tecnologia N-Channel MOSFET (òxid metàl·lic) ) Tensió de drenatge a font (Vdss) Corrent de 100 V - Drenatge continu (Id) @ 25 °C 27 A (Tc) Tensió d'accionament (Rds màx. activada, Rds mín. activada) 10 V Rds activada (màx.) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 27 A, 10V...
