order_bg

productes

IRF7103TRPBF Xip IC de circuit integrat nou i original IRF7103TRPBF

Descripció breu:


Detall del producte

Etiquetes de producte

Atributs del producte

TIPUS DESCRIPCIÓ
Categoria Productes semiconductors discrets

Transistors – FET, MOSFET – Arrays

Mfr Tecnologies Infineon
Sèrie HEXFET®
paquet Cinta i bobina (TR)

Cinta tallada (CT)

Digi-Reel®

Estat del producte Actiu
Tipus FET 2 canals N (doble)
Característica FET Estàndard
Tensió de drenatge a font (Vdss) 50V
Corrent - Drenatge continu (Id) @ 25 °C 3A
Rds activat (màx.) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 3 A, 10 V
Vgs(th) (Màx.) @ Id 3V @ 250µA
Càrrega de la porta (Qg) (Màx.) @ Vgs 30nC @ 10V
Capacitat d'entrada (Ciss) (Màx.) @ Vds 290pF @ 25V
Potència - Màx 2W
Temperatura de funcionament -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipus de muntatge Muntatge en superfície
Paquet / Estoig 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm d'amplada)
Paquet de dispositius del proveïdor 8-SO
Número de producte base IRF7103

Documents i mitjans

TIPUS DE RECURSOS ENLLAÇ
Fulls de dades IRF7103PbF
Altres documents relacionats Sistema de numeració de peces IR
Producte destacat Sistemes de tractament de dades
Full de dades HTML IRF7103PbF
Models EDA IRF7103TRPBF d'Ultra Librarian

Classificacions ambientals i d'exportació

ATRIBUT DESCRIPCIÓ
Estat RoHS Compatibilitat amb ROHS3
Nivell de sensibilitat a la humitat (MSL) 1 (il·limitat)
Estat REACH REACH no afectat
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Recursos addicionals

ATRIBUT DESCRIPCIÓ
Altres noms *IRF7103TRPBF

IRF7103PBFDKR

Q7499123

IRF7103PBFTR

SP001562004

IRF7103PBFCT

Paquet estàndard 4.000

Un transistor és un dispositiu semiconductor que s'utilitza habitualment en amplificadors o interruptors controlats electrònicament.Els transistors són els components bàsics que regulen el funcionament dels ordinadors, els telèfons mòbils i tots els altres circuits electrònics moderns.

A causa de la seva ràpida velocitat de resposta i alta precisió, els transistors es poden utilitzar per a una gran varietat de funcions digitals i analògiques, com ara l'amplificació, la commutació, el regulador de tensió, la modulació del senyal i l'oscil·lador.Els transistors es poden empaquetar individualment o en una àrea molt petita que pot contenir 100 milions o més de transistors com a part d'un circuit integrat.

En comparació amb el tub electrònic, el transistor té molts avantatges:

El component no té consum

Per molt bo que sigui el tub, es deteriorarà gradualment a causa dels canvis en els àtoms del càtode i les fuites d'aire cròniques.Per raons tècniques, els transistors tenien el mateix problema quan es van fabricar per primera vegada.Amb els avenços en materials i millores en molts aspectes, els transistors solen durar entre 100 i 1.000 vegades més que els tubs electrònics.

Consumeix molt poca energia

És només una dècima o desenes d'un del tub electrònic.No necessita escalfar el filament per produir electrons lliures com el tub d'electrons.Una ràdio de transistors només necessita unes poques piles seques per escoltar durant sis mesos a l'any, cosa que és difícil de fer per a la ràdio de tubs.

No cal preescalfar

Treballeu tan bon punt l'enceneu.Per exemple, una ràdio de transistors s'apaga tan bon punt s'encén, i un televisor de transistors configura una imatge tan bon punt s'encén.Els equips de tubs de buit no poden fer-ho.Després de l'arrencada, espereu una estona per escoltar el so, mireu la imatge.És evident que en l'exèrcit, la mesura, l'enregistrament, etc., els transistors són molt avantatjosos.

Fort i fiable

100 vegades més fiable que el tub d'electrons, resistència als cops, resistència a la vibració, que és incomparable amb el tub d'electrons.A més, la mida del transistor és només d'una dècima a una centèsima part de la mida del tub d'electrons, es pot utilitzar molt poc alliberament de calor per dissenyar circuits petits, complexos i fiables.Tot i que el procés de fabricació del transistor és precís, el procés és senzill, la qual cosa afavoreix la millora de la densitat d'instal·lació dels components.


  • Anterior:
  • Pròxim:

  • Escriu el teu missatge aquí i envia'ns-ho