Nou circuit integrat en estoc TLE4250-2G IRF7495TRPBF BSC160N10NS3G IPB120P04P4L03 Ic Xip
Atributs del producte
| TIPUS | DESCRIPCIÓ |
| Categoria | Productes semiconductors discrets |
| Mfr | Tecnologies Infineon |
| Sèrie | OptiMOS™ |
| paquet | Cinta i bobina (TR) Cinta tallada (CT) Digi-Reel® |
| Estat del producte | Actiu |
| Tipus FET | Canal N |
| Tecnologia | MOSFET (òxid metàl·lic) |
| Tensió de drenatge a font (Vdss) | 100 V |
| Corrent - Drenatge continu (Id) @ 25 °C | 8,8 A (Ta), 42 A (Tc) |
| Tensió de la unitat (Rds màxim activat, Rds mínim activat) | 6V, 10V |
| Rds activat (màx.) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 33 A, 10 V |
| Vgs(th) (Màx.) @ Id | 3,5 V @ 33 µA |
| Càrrega de la porta (Qg) (Màx.) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Vgs (màx.) | ±20V |
| Capacitat d'entrada (Ciss) (Màx.) @ Vds | 1700 pF @ 50 V |
| Característica FET | - |
| Dissipació de potència (màx.) | 60 W (Tc) |
| Temperatura de funcionament | -55 °C ~ 150 °C (TJ) |
| Tipus de muntatge | Muntatge en superfície |
| Paquet de dispositius del proveïdor | PG-TDSON-8-1 |
| Paquet / Estoig | 8-PowerTDFN |
| Número de producte base | BSC160 |
Documents i mitjans
| TIPUS DE RECURSOS | ENLLAÇ |
| Fulls de dades | BSC160N10NS3 G |
| Altres documents relacionats | Guia de números de peça |
| Producte destacat | Sistemes de tractament de dades |
| Full de dades HTML | BSC160N10NS3 G |
| Models EDA | BSC160N10NS3GATMA1 d'Ultra Librarian |
| Models de simulació | Model d'espècies de canal N MOSFET OptiMOS™ de 100 V |
Classificacions ambientals i d'exportació
| ATRIBUT | DESCRIPCIÓ |
| Estat RoHS | Compatibilitat amb ROHS3 |
| Nivell de sensibilitat a la humitat (MSL) | 1 (il·limitat) |
| Estat REACH | REACH no afectat |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Recursos addicionals
| ATRIBUT | DESCRIPCIÓ |
| Altres noms | BSC160N10NS3 G-ND BSC160N10NS3 G BSC160N10NS3 GINDKR-ND SP000482382 BSC160N10NS3GATMA1DKR BSC160N10NS3GATMA1CT BSC160N10NS3 GINDKR BSC160N10NS3G BSC160N10NS3GATMA1DKR-NDTR-ND BSC160N10NS3 GINTR-ND BSC160N10NS3 GINCT-ND BSC160N10NS3 GINCT BSC160N10NS3GATMA1TR BSC160N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND |
| Paquet estàndard | 5.000 |
Un transistor és un dispositiu semiconductor que s'utilitza habitualment en amplificadors o interruptors controlats electrònicament.Els transistors són els components bàsics que regulen el funcionament dels ordinadors, els telèfons mòbils i tots els altres circuits electrònics moderns.
A causa de la seva ràpida velocitat de resposta i alta precisió, els transistors es poden utilitzar per a una gran varietat de funcions digitals i analògiques, com ara l'amplificació, la commutació, el regulador de tensió, la modulació del senyal i l'oscil·lador.Els transistors es poden empaquetar individualment o en una àrea molt petita que pot contenir 100 milions o més de transistors com a part d'un circuit integrat.
En comparació amb el tub electrònic, el transistor té molts avantatges:
El component no té consum
Per molt bo que sigui el tub, es deteriorarà gradualment a causa dels canvis en els àtoms del càtode i les fuites d'aire cròniques.Per raons tècniques, els transistors tenien el mateix problema quan es van fabricar per primera vegada.Amb els avenços en materials i millores en molts aspectes, els transistors solen durar entre 100 i 1.000 vegades més que els tubs electrònics.
Consumeix molt poca energia
És només una dècima o desenes d'un del tub electrònic.No necessita escalfar el filament per produir electrons lliures com el tub d'electrons.Una ràdio de transistors només necessita unes poques piles seques per escoltar durant sis mesos a l'any, cosa que és difícil de fer per a la ràdio de tubs.
No cal preescalfar
Treballeu tan bon punt l'enceneu.Per exemple, una ràdio de transistors s'apaga tan bon punt s'encén, i un televisor de transistors configura una imatge tan bon punt s'encén.Els equips de tubs de buit no poden fer-ho.Després de l'arrencada, espereu una estona per escoltar el so, mireu la imatge.És evident que en l'exèrcit, la mesura, l'enregistrament, etc., els transistors són molt avantatjosos.
Fort i fiable
100 vegades més fiable que el tub d'electrons, resistència als cops, resistència a la vibració, que és incomparable amb el tub d'electrons.A més, la mida del transistor és només d'una dècima a una centèsima part de la mida del tub d'electrons, es pot utilitzar molt poc alliberament de calor per dissenyar circuits petits, complexos i fiables.Tot i que el procés de fabricació del transistor és precís, el procés és senzill, la qual cosa afavoreix la millora de la densitat d'instal·lació dels components.
