-
IPD031N06L3G nou servei de BOM MCU de xip de components electrònics originals en estoc IPD031N06L3G
Atributs del producte TIPUS DESCRIPCIÓ Categoria Productes semiconductors discrets Transistors – FET, MOSFET – Fabricant únic Infineon Technologies Sèrie OptiMOS™ Paquet Cinta i bobina (TR) Cinta tallada (CT) Digi-Reel® Estat del producte Tipus FET actiu Tecnologia N-Channel MOSFET (òxid metàl·lic) ) Tensió de drenatge a font (Vdss) Corrent de 60 V: drenatge continu (Id) @ 25 °C 100 A (Tc) Tensió d'accionament (Rds màxim encès, Rds mín activat) 4,5 V, 10 V Rds encès (màx.) @ Id, Vgs 3,1 mOhm @ 100A... -
IMZA65R072M1H Xips IC Transistors Components electrònics Circuit integrat Capacitor IMZA65R072M1H
Atributs del producte TIPUS DESCRIPCIÓ Categoria Productes semiconductors discrets Transistors – FET, MOSFET – Single Mfr Sèrie Infineon Technologies - Tub de paquet Estat del producte Tipus FET actiu - Tecnologia - Corrent - Drenatge continu (Id) @ 25°C 28A (Tc) Tensió d'accionament (Rds màx. On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Vgs (Max) - Funció FET - Dissipació de potència (Max) - Temperatura de funcionament - Número de producte base IMZA6.. . -
Llista BOM de cotització IC IDW30C65D2 GSD4E-9333-TR EP1AGX50DF780C6N Circuit integrat
Atributs del producte TIPUS DESCRIPCIÓ Categoria Productes semiconductors discrets Díodes – Rectificadors – Arrays Mfr Infineon Technologies Series Rapid 2 Package Tube Estat del producte Configuració del díode actiu 1 parell Tipus de díode de càtode comú Tensió estàndard – DC inversa (Vr) (màx.) 650 V de corrent – Mitjana rectificada ( Io) (per díode) 15A Voltatge - Endavant (Vf) (Màx.) @ Si 2,2 V @ 15 A Velocitat Recuperació ràpida = < 500 ns, > 200 mA (Io) Recuperació inversa... -
KWM Original nou transistor BSZ100 PG-TSDSON-8 BSZ100N06NS Xip IC de circuit integrat en estoc
Atributs del producte TIPUS DESCRIPCIÓ Categoria Productes semiconductors discrets Transistors – FET, MOSFET – Fabricant únic Infineon Technologies Sèrie OptiMOS™ Paquet Cinta i bobina (TR) Cinta tallada (CT) Digi-Reel® Estat del producte Tipus FET actiu Tecnologia N-Channel MOSFET (òxid metàl·lic) ) Tensió de drenatge a font (Vdss) Corrent de 60 V – Drenatge continu (Id) @ 25 °C 40 A (Tc) Tensió d'accionament (Rds màx. activada, Rds mínima activada) 6 V, 10 V Rds activada (màx.) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 20A, 10V... -
AUIRG4PH50S BSZ060NE2LS ISP752RFUMA1 IR3889MTRPBF IC Xip Nou circuit integrat original
Atributs del producte TIPUS DESCRIPCIÓ Categoria Productes semiconductors discrets Transistors – FET, MOSFET – Fabricant únic Infineon Technologies Sèrie OptiMOS™ Paquet Cinta i bobina (TR) Cinta tallada (CT) Digi-Reel® Estat del producte Tipus FET actiu Tecnologia N-Channel MOSFET (òxid metàl·lic) ) Tensió de drenatge a font (Vdss) Corrent de 25 V: drenatge continu (Id) @ 25 °C 12 A (Ta), 40 A (Tc) Tensió d'accionament (Rds màxim encès, Rds mínim encès) 4,5 V, 10 V Rds encès (màx.) @ Id, Vgs 6mOhm... -
(STOCK) BSS138NH6327 nou i original producte calent de components electrònics
Atributs del producte TIPUS DESCRIPCIÓ Categoria Productes semiconductors discrets Transistors – FET, MOSFET – Fabricant únic Infineon Technologies Sèrie SIPMOS® Paquet Cinta i bobina (TR) Cinta tallada (CT) Digi-Reel® Estat del producte Tipus FET actiu Tecnologia N-Channel MOSFET (òxid metàl·lic) ) Tensió de drenatge a font (Vdss) 60 V de corrent: drenatge continu (Id) @ 25 °C 230 mA (Ta) Tensió d'accionament (Rds màxim encès, Rds mín encès) 4,5 V, 10 V Rds encès (màx.) @ Id, Vgs 3,5 Ohm @ 230mA... -
Original nou en estoc MOSFET transistor díode tiristor SOT-223 BSP125H6327 Component electrònic de xip IC
Atributs del producte TIPUS DESCRIPCIÓ Categoria Productes semiconductors discrets Transistors – FET, MOSFET – Fabricant únic Infineon Technologies Sèrie SIPMOS® Paquet Cinta i bobina (TR) Cinta tallada (CT) Digi-Reel® Estat del producte Tipus FET actiu Tecnologia N-Channel MOSFET (òxid metàl·lic) ) Tensió de drenatge a la font (Vdss) 600 V de corrent: drenatge continu (Id) @ 25 °C 120 mA (Ta) Tensió d'accionament (Rds màxim encès, Rds mín encès) 4,5 V, 10 V Rds encès (màx.) @ Id, Vgs 45 ohm @ 120 mA... -
MOSFET TDSON-8 BSC0902NSI original a estrenar
Atributs del producte TIPUS DESCRIPCIÓ Categoria Productes semiconductors discrets Transistors – FET, MOSFET – Fabricant únic Infineon Technologies Sèrie OptiMOS™ Paquet Cinta i bobina (TR) Cinta tallada (CT) Digi-Reel® Estat del producte Tipus FET actiu Tecnologia N-Channel MOSFET (òxid metàl·lic) ) Tensió de drenatge a font (Vdss) Corrent de 30 V: drenatge continu (Id) @ 25 °C 23 A (Ta), 100 A (Tc) Tensió d'accionament (Rds màx. activat, Rds mínim encès) 4,5 V, 10 V Rds activat (màx.) @ Id, Vgs 2,8 m... -
Nou circuit integrat en estoc TLE4250-2G IRF7495TRPBF BSC160N10NS3G IPB120P04P4L03 Ic Xip
Atributs del producte TIPUS DESCRIPCIÓ Categoria Productes semiconductors discrets Transistors – FET, MOSFET – Fabricant únic Infineon Technologies Sèrie OptiMOS™ Paquet Cinta i bobina (TR) Cinta tallada (CT) Digi-Reel® Estat del producte Tipus FET actiu Tecnologia N-Channel MOSFET (òxid metàl·lic) ) Tensió de drenatge a font (Vdss) Corrent de 100 V: drenatge continu (Id) @ 25 °C 8,8 A (Ta), 42 A (Tc) Tensió d'accionament (Rds màxim encès, Rds mínim encès) 6 V, 10 V Rds encès (màx.) @ Id, Vgs 16mOh... -
Circuit integrat nou i original BSC100N06LS3G
Atributs del producte TIPUS DESCRIPCIÓ Categoria Productes semiconductors discrets Transistors – FET, MOSFET – Fabricant únic Infineon Technologies Sèrie OptiMOS™ Paquet Cinta i bobina (TR) Cinta tallada (CT) Digi-Reel® Estat del producte Tipus FET actiu Tecnologia N-Channel MOSFET (òxid metàl·lic) ) Tensió de drenatge a font (Vdss) Corrent de 60 V: drenatge continu (Id) @ 25 °C 12 A (Ta), 50 A (Tc) Tensió d'accionament (Rds màxim encès, Rds mínim encès) 4,5 V, 10 V Rds encès (màx.) @ Id, Vgs 10mOh... -
BSC070N10NS3G IPD50P04P4L11 SLM9670AQ20FW1311XTMA1 BTS3125EJ Component electrònic original de xip Ic
Atributs del producte TIPUS DESCRIPCIÓ Categoria Productes semiconductors discrets Transistors – FET, MOSFET – Fabricant únic Infineon Technologies Sèrie OptiMOS™ Paquet Cinta i bobina (TR) Cinta tallada (CT) Digi-Reel® Estat del producte Tipus FET actiu Tecnologia N-Channel MOSFET (òxid metàl·lic) ) Tensió de drenatge a font (Vdss) 100 V de corrent: drenatge continu (Id) @ 25 °C 90 A (Tc) Tensió d'accionament (Rds màx. activada, Rds mín. activada) 6 V, 10 V Rds activada (màx.) @ Id, Vgs 7 mOhm @ 50A, 10V... -
AQX BSC060N10NS3G Xip de circuit integrat nou i original BSC060N10NS3G Atributs del producte
Atributs del producte TIPUS DESCRIPCIÓ Categoria Productes semiconductors discrets Transistors – FET, MOSFET – Fabricant únic Infineon Technologies Sèrie OptiMOS™ Paquet Cinta i bobina (TR) Cinta tallada (CT) Digi-Reel® Estat del producte Tipus FET actiu Tecnologia N-Channel MOSFET (òxid metàl·lic) ) Tensió de drenatge a font (Vdss) 100 V de corrent: drenatge continu (Id) @ 25 °C 14,9 A (Ta), 90 A (Tc) Tensió d'accionament (Rds màxim encès, Rds mín encès) 6 V, 10 V Rds encès (màx.) @ Id, Vgs 6mOh...
