IRF9540NSTRLPBF nous i originals Circuits integrats Components electrònics
Atributs del producte
| TIPUS | DESCRIPCIÓ |
| Categoria | Productes semiconductors discrets |
| Mfr | Tecnologies Infineon |
| Sèrie | HEXFET® |
| paquet | Cinta i bobina (TR) Cinta tallada (CT) Digi-Reel® |
| Estat del producte | Actiu |
| Tipus FET | Canal P |
| Tecnologia | MOSFET (òxid metàl·lic) |
| Tensió de drenatge a font (Vdss) | 100 V |
| Corrent - Drenatge continu (Id) @ 25 °C | 23A (Tc) |
| Tensió de la unitat (Rds màxim activat, Rds mínim activat) | 10V |
| Rds activat (màx.) @ Id, Vgs | 117 mOhm @ 14 A, 10 V |
| Vgs(th) (Màx.) @ Id | 4V @ 250µA |
| Càrrega de la porta (Qg) (Màx.) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Vgs (màx.) | ±20V |
| Capacitat d'entrada (Ciss) (Màx.) @ Vds | 1450 pF @ 25 V |
| Característica FET | - |
| Dissipació de potència (màx.) | 3,1 W (Ta), 110 W (Tc) |
| Temperatura de funcionament | -55 °C ~ 150 °C (TJ) |
| Tipus de muntatge | Muntatge en superfície |
| Paquet de dispositius del proveïdor | D2PAK |
| Paquet / Estoig | TO-263-3, D²Pak (2 cables + pestanya), TO-263AB |
| Número de producte base | IRF9540 |
Documents i mitjans
| TIPUS DE RECURSOS | ENLLAÇ |
| Fulls de dades | IRF9540NS/L |
| Altres documents relacionats | Sistema de numeració de peces IR |
| Mòduls de formació de producte | Circuits integrats d'alta tensió (controladors de porta HVIC) |
| Producte destacat | Sistemes de tractament de dades |
| Full de dades HTML | IRF9540NS/L |
| Models EDA | IRF9540NSTRLPBF d'Ultra Librarian |
| Models de simulació | Model IRF9540NL Sabre |
Classificacions ambientals i d'exportació
| ATRIBUT | DESCRIPCIÓ |
| Estat RoHS | Compatibilitat amb ROHS3 |
| Nivell de sensibilitat a la humitat (MSL) | 1 (il·limitat) |
| Estat REACH | REACH no afectat |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
IRF9540NS
-MOSFET IR d'un sol canal P de 100 V en un paquet D2-Pak
Beneficis
- Estructura cel·lular plana per a SOA ample
- Optimitzat per a una disponibilitat més àmplia dels socis de distribució
- Qualificació del producte segons la norma JEDEC
- Silici optimitzat per a aplicacions que canvien per sota de <100 kHz
- Paquet d'alimentació de muntatge superficial estàndard de la indústria
- Paquet de capacitat de transport d'alta corrent (fins a 195 A, depenent de la mida de la matriu)
- Capaç de ser soldat per ona
Dispositiu semiconductor discret
Els diferents semiconductors s'esgoten com a part de circuits essencials, sovint en un IC.Aquests circuits generalment poden portar funcions i característiques contínues en un dispositiu, diferenciant-los substancialment dels semiconductors discrets significatius.
La majoria de semiconductors es compren com a part essencial dels circuits del món actual.No obstant això, per a algunes aplicacions, un semiconductor discret ofereix les millors solucions per a les necessitats d'enginyeria.Per tant, també tenen un paper vital en els components electrònics del mercat.Sí, ho heu sentit bé!
Els exemples principals són tiristors, transistors, rectificadors, díodes i moltes versions d'aquests dispositius eficients.Altres estructures de semiconductors amb la complexitat física dels circuits integrats però que realitzen funcions electròniques com els transistors Darlington es consideren normalment màquines semiconductors discretes.
Dispositiu semiconductor discret |Beneficis de gamma alta
Hi ha molts avantatges de primer nivell dels dispositius semiconductors discrets super cool.Alguns d'ells s'enumeren a continuació:
- Tots els dispositius semiconductors discrets són molt compactes i lleugers.
- Són altament fiables pel seu baix consum d'energia i la seva mida adequada.
- Es poden substituir còmodament.Tanmateix, la seva substitució és una mica difícil a causa de l'absència de capacitat i efecte paràsit.
- Hi ha petites diferències de temperatura entre els components del circuit.
- És més adequat per a moltes operacions de petit senyal.
- Aquests dispositius redueixen el consum d'energia a causa de la seva mida altament compacta i adequada.
Un semiconductor discret realitza funcions increïblement que no es poden dividir en altres parts.Per exemple, un IC pot tenir un díode, un transistor i altres components essencials que poden fer fàcilment diverses tasques de manera independent.També poden treballar conjuntament amb el circuit excepcional i realitzar moltes funcions.
Per contra, el semiconductor discret pot realitzar una única funció.Per exemple, un transistor sempre és un transistor exemplar i pot realitzar la seva funció associada només amb el transistor.
Aquest article conté tota la informació essencial, inclosos els seus avantatges, inconvenients i exemples de primer nivell, de manera que us podeu familiaritzar completament amb els dispositius semiconductors discrets.
